Transistor per uso generico MJK44H11T

I transistori per uso generico MJK44H11T di onsemi sono studiati per soddisfare le esigenze di una vasta gamma di applicazioni di commutazione e potenza. L'MJK44H11T di onsemi può regolare, convertire o amplificare la potenza. Il dispositivo è alloggiato in un avanzato package LFPAK (5 mm x 6 mm) e offre un'ottima conduzione termica. MJK44H11T garantisce prestazioni stabili in condizioni difficili. Può essere utilizzato in applicazioni finali nel settore automobilistico, come l'installazione di airbag, unità di controllo della trasmissione e cluster di strumenti.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi Transistor bipolari - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
Scheda dati
2.711A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 PNP Single 16 A 80 V 5 V 1 V 20 W 90 MHz - 65 C + 150 C MJK45H11T Reel, Cut Tape
onsemi NJVMJK44H11TWG
onsemi Transistor bipolari - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
Scheda dati
2.930A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

MJK44H11T Reel, Cut Tape
onsemi NJVMJK45H11TWG
onsemi Transistor bipolari - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

MJK45H11T Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT NPN BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
Scheda dati
2.97808/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 NPN Single 16 A 80 V 5 V 1 V 20 W 85 MHz - 65 C + 150 C MJK44H11T Reel, Cut Tape