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NCP51705MNTXG

Name: onsemi NCP51705MNTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51705MNTXG
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NCP51705MNTXG

N. produttore:

NCP51705MNTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Driver di porta SIC MOSFET DRIVER

Scheda dati:

NCP51705MNTXG Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,55 €	3,55 €
	2,73 €	27,30 €
	2,52 €	63,00 €
	2,25 €	225,00 €
	2,05 €	512,50 €
	2,00 €	1.000,00 €
	1,92 €	1.920,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,91 €	5.730,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-24
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	6 A
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	22 V
Tempo di salita:	8 ns
Tempo di caduta:	8 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	NCP51705
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Tipo di logica:	TTL
Ritardo di spegnimento massimo:	50 ns
Ritardo di accensione massimo:	50 ns
Corrente di alimentazione operativa:	12 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	2.9 W
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	50 ns
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

NCP51705MNTXG Scheda dati

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Gate driver NCP51705

Il driver di porta NCP51705 di onsemi è progettato per azionare principalmente transistor MOSFET SiC. Questo driver di porta raggiunge le perdite di conduzione più basse possibili ed è in grado di fornire la massima tensione di gate al dispositivo MOSFET SiC. Il driver NCP51705 utilizza la pompa di carica integrata per generare un binario di tensione negativa selezionabile dall’utente. Questo driver di porta fornisce un binario a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario degli isolatori ottici digitali o ad alta velocità. Il driver NCP51705 offre funzioni di protezione come il monitoraggio del blocco per sottotensione e l'arresto termico in base alla temperatura di giunzione del circuito del driver. Le applicazioni tipiche includono il pilotaggio di MOSFET SiC, inverter industriali, driver di motori, PFC, convertitori da CA a CC e da CC a CC.