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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 24.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTH4L014N120M3P

N. produttore:

NTH4L014N120M3P

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

Scheda dati:

NTH4L014N120M3P Scheda dati

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	24,79 €	24,79 €
	18,32 €	183,20 €
	18,10 €	1.810,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	127 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	20 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.63 V
Qg - Carica del gate:	329 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	686 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Transconduttanza diretta - Min:	29 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	68 ns
Tipico ritardo di accensione:	26 ns

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Scheda dati

NTH4L014N120M3P Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M3P

I MOSFET ELIESIC M3P di onsemi sono una soluzione per applicazioni ad alta tensione con una tensione nominale massima di 1200 V. I MOSFET M3P di onsemi sono disponibili nei package D2PAK7, TO-247-3LD e TO-247-4LD/I MOSFET forniscono versatilità per vari requisiti di progettazione. Con una tensione gate-source massima di +22 V/-10 V, i MOSFET EliteSiC vantano capacità parassite migliorate, tra cui Coss, Ciss e Crss.

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTH4L014N120M3P

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTH4L014N120M3P di onsemi è ottimizzato per le applicazioni di potenza. Il MOSFET di onsemi è dotato di una tecnologia planare che funziona in modo affidabile con i drive di tensione di gate negativi e disattiva i picchi sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali quando viene pilotata con un gate drive da 18 V, ma funziona bene anche con un gate drive da 15 V.

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.