MOSFET SiC da 1200 V

I MOSFET SiC Nexperia  da 1.200 V sono alloggiati nel TO-247-3 a 3 pin e TO-247-4 a 4 pin per il montaggio della PCB a foro passante. I MOSFET Nexperia sono ideali per applicazioni industriali ad alta potenza e ad alto voltaggio grazie all'eccellente stabilità termica e alla velocità di commutazione rapida. Queste applicazioni includono infrastrutture di ricarica per veicoli elettronici, inverter fotovoltaici e unità di azionamento motori.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nexperia MOSFET SiC TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
Scheda dati
255A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia MOSFET SiC TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
Scheda dati
227A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia MOSFET SiC NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Scheda dati
15A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement