Transistor di potenza NPN 1,5 A 160 V 2SCR579D3

Il transistor di potenza 2SCR579D3 NPN 1,5 A 160 V di ROHM Semiconductor è un transistor di potenza con bassa VCE(sat) ed è adatto come amplificatore a bassa frequenza. Si tratta di un prodotto altamente affidabile per applicazioni per il settore automobilistico e viene fornito in un package TO-252 (DPAK). Il 2SCR579D3 di ROHM Semiconductor ha una tensione collettore-base (VCBO) e a una tensione collettore-emettitore (VCEO) di 160 V e ha una corrente di collettore (IC) di 1,5 A nominali.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
ROHM Semiconductor Transistor bipolari - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
Scheda dati
2.077A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 3 A 160 V 160 V 5 V 400 mV 10 W 101 MHz + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor bipolari - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Scheda dati
2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 3 A 160 V 160 V 5 V 400 mV 10 W 101 MHz + 150 C Reel, Cut Tape