MOSFET di potenza RJ1x10BBG

I MOSFET di potenza ROHM Semiconductor RJ1x10BBG sono MOSFET di potenza a canale N caratterizzati da una bassa resistenza di conduzione e da un package ad alte prestazioni. I MOSFET di potenza RJ1G10BBG e RJ1L10BBG hanno una tensione di drain voltage di 40 V e 60 V, una drain current continua di ±280 A e ±240 A, rispettivamente, e una dissipazione di potenza di 192 W. Il MOSFET di potenza RJ1x10BBG è conforme a RoHS. Questi MOSFET di potenza hanno un rivestimento senza piombo e sono privi di alogeni e 100% testati Rg e UIS. I MOSFET di potenza RJ1x10BBG funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Le applicazioni tipiche includono la commutazione, gli azionamenti motori e i convertitori CC/CC.