SIC658ACD-T1-GE3

Vishay
78-SIC658ACD-T1-GE3
SIC658ACD-T1-GE3

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta 50A VRPOWER INTEGRATED POWER STAGE

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
High-Side
SMD/SMT
MLP55-31
1 Driver
1 Output
50 A
4.5 V
24 V
- 40 C
+ 125 C
SIC658A
Reel
Cut Tape
Marchio: Vishay
Corrente di alimentazione operativa: 38 mA
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
Nome commerciale: VRPower
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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Stadio di potenza integrato SiC658A 50 A VRPower®

Lo stadio di potenza integrato SiC658A 50 A VRPower® di Vishay offre un'alta efficienza e prestazioni termiche superiori, rendendolo ideale per applicazioni a corrente elevata. Grazie alla sua avanzata tecnologia MOSFET, l'SiC658A di Vishay garantisce una conversione di potenza ottimale e perdite di commutazione ridotte, migliorando l'affidabilità dei server e dei sistemi informatici. Il modulo è dotato di un package PowerPAK® MLP55-31L termicamente potenziato supporti fino a 50 A corrente continua e funziona ad alte frequenze fino a 1,5 MHz.

Driver MOSFET otticamente isolati

I driver MOSFET isolati otticamente Vishay forniscono la tensione necessaria per azionare la porta di un MOSFET a bassa tensione. La tensione del gate viene generata da celle fotovoltaiche e non è necessaria alcuna alimentazione sul lato di uscita. Ciò semplifica la progettazione quando si utilizzano MOSFET a bassa tensione. Il VOM1271T a canale singolo fornisce una tensione di uscita di 8,4 V con una corrente diretta di ingresso di appena 10 mA. Il VO1263AACTR a doppio canale fornisce una tensione di uscita di 14,5 V.