IGBT XPT™ GenX4™ IXYxN120A4

Gli IGBT Trench IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ sono IGBT a trincea di quarta generazione con tecnologia XPT a wafer sottile. Questi transistor IGBT con bassissima VSAT supportano frequenze di commutazione fino a 5 kHz e sono ottimizzati per basse perdite di conduzione. Gli IGBT IXYxN120A offrono vantaggi quali un'elevata densità di potenza, un basso requisito di pilotaggio del gate e una temperatura operativa compresa tra -55°C e +175°C. Questi transistor sono disponibili nei package TO-247 e TO-269HV, ciascuno con una tensione di 1200 V e una corrente di 55 A o 85 A. Gli IGBT IXYxN120A sono utilizzati in applicazioni come inverter di potenza, unità motore, circuiti PFC, caricabatterie, macchine per saldatura, reattori di lampade e circuiti di protezione dalla corrente di spunto.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
IXYS IGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 48 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube