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STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STGWT28IH125DF

N. produttore:

STGWT28IH125DF

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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Scheda dati:

STGWT28IH125DF Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,38 €	828,00 €
	1,33 €	3.591,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-3P-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.25 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.65 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	60 A
Pd - Dissipazione di potenza:	375 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGWT28IH125DF
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	30 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	300
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	7 g

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Scheda dati

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT Trench Gate Field-Stop STGWT28IH125DF

Gli STGWT28IH125DF di STMicroelectronics sono disponibili presso Mouser e sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura trench-gate Field-Stop proprietaria avanzata. Le prestazioni sono ottimizzate sia per le perdite di conduzione che di commutazione. Un diodo a rotazione libera con caduta di tensione diretta bassa è incluso nella fornitura. Il risultato è un prodotto appositamente progettato per massimizzare l'efficienza per un'applicazione risonante e a commutazione soft.
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