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FAD7171MX

Name: onsemi FAD7171MX
Brand: onsemi
SKU: 863-FAD7171MX
Price: 1.43 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FAD7171MX

N. produttore:

FAD7171MX

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Driver di porta 600V, 4A, SOIC-8, High-Side Gate Drive IC

Scheda dati:

FAD7171MX Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,43 €	1,43 €
	1,05 €	10,50 €
	0,955 €	23,88 €
	0,849 €	84,90 €
	0,798 €	199,50 €
	0,768 €	384,00 €
	0,743 €	743,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,689 €	1.722,50 €
	0,682 €	5.115,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Driver ICs - Various
Tipo:	High-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Tempo di salita:	11 ns
Tempo di caduta:	12 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	FAD7171MX
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Tensione di ingresso - Max:	20 V
Tensione di ingresso - Min.:	10 V
Ritardo di spegnimento massimo:	95 ns
Ritardo di accensione massimo:	100 ns
Tempo di stato disattivo - Max:	95 ns
Corrente di alimentazione operativa:	105 uA
Tensione di uscita:	35 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	625 mW
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	100 ns
Spegnimento:	No Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

FAD7171MX Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

IC driver di gate automobilistico di lato alto FAD7171MX

Il circuito integrato driver di gate automobilistico di lato alto FAD7171MX è un circuito integrato di drive di gate di lato alto monolitico da 600 V e 4 A che può pilotare MOSFET e IGBT ad alta velocità che funzionano fino a +600 V. L'FAD7171MX di Onsemi è dotato di uno stadio di uscita bufferizzato con tutti transistori NMOS progettati per la capacità di pilotaggio di correnti impulsive elevate e minima conduzione incrociata. Il processo ad alto voltaggio e le tecniche di cancellazione del rumore di modo comune di Onsemi garantiscono un funzionamento stabile del driver laterale in condizioni di rumore ad alto dv/dt. Un circuito di cambio di livello avanzato offre il funzionamento del driver del gate di lato alto fino a V_S= -13 V (tipico) per V_BS=15 V. Il circuito di blocco di sottotensione (UVLO) impedisce il malfunzionamento quando V_BS è inferiore alla tensione di soglia specificata.