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CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 1418.91 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

941-CGHV50200F

N. produttore:

CGHV50200F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

Scheda dati:

CGHV50200F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	4402015
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	17 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3.4 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	MACOM
Kit di sviluppo:	CGHV50200F-AMP
Guadagno:	11.5 dB
Frequenza di lavoro massima:	5 GHz
Frequenza di lavoro minima:	4.4 GHz
Potenza di uscita:	180 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V to 2 V

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Scheda dati

CGHV50200F Scheda dati (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.