MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Scheda dati
370A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 240
Mult.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube