NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches are designed to block voltage in both directions. A monolithic, integrated substrate-clamping circuit between each source and the common substrate automatically clamps the source-to-substrate voltage. Navitas’ unique substrate clamp technology delivers optimized switching performance during 4-quadrant operation compared to a floating-substrate switch, which can experience a "back-gating effect".

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Id - corrente di drain continua Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT 138A magazzino
45031/07/2026 previsto
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: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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: 1.500

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C