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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 1.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

942-IRF100B201

N. produttore:

IRF100B201

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Scheda dati:

IRF100B201 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,79 €	1,79 €
	1,14 €	11,40 €
	1,08 €	108,00 €
	0,877 €	438,50 €
	0,78 €	780,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	192 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	170 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	441 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	StrongIRFET
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	100 ns
Transconduttanza diretta - Min:	278 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	97 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	110 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Peso unità:	2 g

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Spice Model - IRF100B201

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.