IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

Produttore:

Descrizione:
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 100 ns
Transconduttanza diretta - Min: 278 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 97 ns
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 110 ns
Tipico ritardo di accensione: 17 ns
Peso unità: 2 g
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Attributi selezionati: 0

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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Malesia
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D2-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

A magazzino: 4.125

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