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MRFE6VS25GN-960

Name: NXP MRFE6VS25GN-960
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFE6VS25GN-960
Price: 1354.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-MRFE6VS25GN-960

N. produttore:

MRFE6VS25GN-960

Produttore:

NXP Semiconductors

Descrizione:

Strumenti di sviluppo RF MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Scheda dati:

MRFE6VS25GN-960 Scheda dati (PDF)

Maggiori informazioni

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	NXP
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo RF
RoHS::
Prodotto:	Reference Design Boards
Tipo:	RF Transistor
Strumento per la valutazione di:	MRFE6VS25N
Frequenza:	960 MHz to 1.215 GHz
Marchio:	NXP Semiconductors
Tensione di alimentazione di lavoro:	50 V
Tipo di prodotto:	RF Development Tools
Serie:	MRFE6VS25N
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools
Alias n. parte:	935392203598
Peso unità:	453,592 g

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USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.