Elementi Hall a pozzo quantico HQ ad alta sensibilità

Asahi Kasei Microdevices Gli elementi Hall a pozzo quantico ad alta sensibilità (InAs) HQ sono sensori magnetici che rilevano i campi magnetici e generano un segnale analogico proporzionale all'intensità. Operanti in un intervallo di temperatura compreso tra -40°C e +125°C, questi elementi Hall a pozzo quantico InAs presentano un intervallo di resistenza di entrata da 370Ω a 1150Ω, un intervallo di resistenza in uscita da 750Ω a 1150Ω e un intervallo di tensione Hall in uscita da 90 mV a 130 mV. Le applicazioni includono i driver di motori e il rilevamento della posizione lineare.

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Asahi Kasei Microdevices Sensori magnetici/a effetto Hall su scheda InAs (High Sensitivity) Hall Element 31.091A magazzino
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Hall Element - 40 C + 125 C PCB Mount SON-4 HQ0x Reel, Cut Tape
Asahi Kasei Microdevices Sensori magnetici/a effetto Hall su scheda InAs (High Sensitivity) Hall Element 3.084A magazzino
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Hall Element - 40 C + 125 C PCB Mount SON-8 HQ0x Reel, Cut Tape
Asahi Kasei Microdevices Sensori magnetici/a effetto Hall su scheda quantum well type InAs Hall device.
9.75128/04/2026 previsto
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8.5 mA 6 V - 40 C + 125 C PCB Mount HQ0x Reel, Cut Tape