MOSFET di potenza NVMFS6H824NLT1G e NVTFS6H888NLTAG

I MOSFETdi potenza NVMFS6H824NLT1G e NVTFS6H888NLTAG automobilistici sono qualificati AEC-Q101 e sono disponibili in un package DFN5 a filo piatto a ingombro piccolo per progetticompatti. Questi dispositivi onsemi offrono bassa QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver e bassa RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione. Le opzioni a flangia bagnabile (NVMFS6H824NLWF e NVTFS6H888NLWF in un package WDFN8 ) garantiscono una migliore ispezione ottica. Le applicazioni tipiche includono alimentatori di commutazione, controllo del motore, interruttori di potenza (driver high-/low-side e ponti H), sistemi a 48V, convertitori CC/CC e interruttori di carico.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
onsemi MOSFET Power MOSFET 80V, 110A, 4 mohm, Single N-Channel 4.898A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET 80V, 110A, 4 mohm, Single N-Channel Wettable flank 1.410A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 80V, 13A, 50mohm, Logic Level WDFN8 (Pb?Free) 1.340A magazzino
3.00017/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 1.480A magazzino
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Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape