BUK6Q8R2-30PJ

Nexperia
771-BUK6Q8R2-30PJ
BUK6Q8R2-30PJ

Produttore:

Descrizione:
MOSFET BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33

Ciclo di vita:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Nexperia
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOT8002-3
P-Channel
1 Channel
30 V
82 A
18 mOhms
20 V
2.7 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: Nexperia
Configurazione: Single
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Tempo di caduta: 43 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 18 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 91 ns
Tipico ritardo di accensione: 6 ns
Alias n. parte: 934670312118 934670000000
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

MOSFET Nexperia BUK6Q8R2-30PJ 30 V FET, modalità di miglioramento del canale P in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET. Questo MOSFET offre compatibilità a livello logico e presenta flange saldabili lateralmente per l'ispezione ottica della saldatura. Il MOSFET BUK6Q8R2-30PJ è disponibile in un package termicamente efficiente con fattore di forma piccolo (ingombro 3,3 mm x 3,3 mm). Questo MOSFET è qualificato AEC-Q101 e adatto per applicazioni per il settore automobilistico. Il MOSFET BUK6Q8R2-30PJ è ideale per la protezione da polarità inversa, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico di lato alto e driver di relè.