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TDS2621LP.C

Name: Semtech TDS2621LP.C
Brand: Semtech
SKU: 947-TDS2621LP.C
Price: 1.08 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

947-TDS2621LP.C

N. produttore:

TDS2621LP.C

Produttore:

Semtech

Descrizione:

Diodi di protezione ESD/Diodi TVS TDS, 1-Line 26V 24A TVS EOS SLP1616N2P

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

TDS2621LP.C Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,08 €	1,08 €
	0,708 €	7,08 €
	0,587 €	58,70 €
	0,563 €	281,50 €
	0,544 €	544,00 €
	0,516 €	1.548,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Semtech
Categoria prodotto:	Diodi di protezione ESD/Diodi TVS
RoHS::
Tensione di lavoro:	26.4 V
Stile di terminazione:	SMD/SMT
Tensione di clamping:	35 V
Tensione di rottura:	31 V
Package/involucro:	DFN-2
Ipp - corrente di impulso di picco:	24 A
Pppm: dissipazione potenza di impulso di picco:	840 W
Cd - Capacità del diodo:	86 pF
Vesd - Tensione ESD contatto:	20 kV
Vesd - Tensione ESD traferro:	25 kV
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Marchio:	Semtech
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Nome commerciale:	SurgeSwitch
Vf - Tensione diretta:	600 mV

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Scheda dati

TDS2621LP.C Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Soppressori di deviazione transitoria TDS2621LP

I soppressori di deviazione transitoria TDS2621LP (TDS) di Semtech sono progettati per fornire una protezione contro l'eccessivo stress elettrico (EOS) ad alta energia con caratteristiche di serraggio e temperatura superiori rispetto ai dispositivi TVS standard. I dispositivi Semtech TDS2621LP utilizzano un FET con classificazione per sovratensioni come elemento di protezione principale. Durante un evento EOS, la tensione transitoria aumenta oltre la tensione nominale di rottura del dispositivo. Il FET quindi si attiva e conduce una corrente transitoria a terra. La tensione di clamp TDS è quasi costante in tutto l'intervallo nominale di corrente di picco, grazie alla bassissima resistenza di accensione [RDS_(on)] del FET. La tensione di bloccaggio inferiore alla massima corrente di impulso di picco rende i componenti TDS più adatti alla protezione dei circuiti integrati (CI) sensibili rispetto ai diodi TVS standard.