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NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 68.19 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NXV08H300DT1

N. produttore:

NXV08H300DT1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli MOSFET APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Scheda dati:

NXV08H300DT1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	APM-17
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	650 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	NXV08H300DT1
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Half-Bridge
Tempo di caduta:	290 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	475 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Automotive Power MOSFET Module
Ritardo di spegnimento tipico:	608 ns
Tipico ritardo di accensione:	235 ns

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Scheda dati

NXV08H300DT1 Scheda dati

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Modulo MOSFET NXV08H300DT1

Il modulo MOSFET NXV08H300DT1 onsemi è un modulo MOSFET di potenza da 80 V a doppio semiponte con rilevamento della temperatura per applicazioni ibride medie da 48 V nel settore automotive. Questo modulo MOSFET di potenza bifase è elettricamente isolato con un substrato in rame a tenuta diretta (DBC) per basso Rthjc. Il modulo NXV08H300DT1 presenta un design compatto per garantire una bassa resistenza totale del modulo, mentre il sistema di dimensioni contenute, efficiente e affidabile riduce il consumo di carburante dei veicoli e le emissioni CO2. I componenti all’interno del modulo sono qualificati AEC-Q101 (MOSFET) e AEC-Q200 (passivi). Il modulo MOSFET di potenza NXV08H300DT1 è ideale per applicazioni di trazione da 48 V e inverter da 48 V.