Moduli IGBT a tre livelli da 1200 V

I moduli IGBT a 3 livelli da 1200 V di Infineon Technologies offrono prestazioni elettriche e alta affidabilità senza limitare la flessibilità di progettazione. I moduli IGBT coprono una gamma di wattaggio da poche centinaia di watt a diversi megawatt. I moduli IGBT da 1200 V sono progettati per applicazioni a 3 livelli.

Tipi di Semiconduttori discreti
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 Produttore
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Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Scheda dati
219A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Scheda dati
3A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Scheda dati
24A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 15 settimane
Min: 6
Mult.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 15
Mult.: 15

IGBT Modules Si