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RQ3G110ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G110ATTB
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RQ3G110ATTB

N. produttore:

RQ3G110ATTB

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET HSMT8 P-CH 40V 35A

Scheda dati:

RQ3G110ATTB Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,93 €	1,93 €
	1,11 €	11,10 €
	0,825 €	82,50 €
	0,697 €	348,50 €
	0,644 €	644,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,577 €	1.731,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	HSMT-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	35 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	12.4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	46 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	20 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	75 ns
Transconduttanza diretta - Min:	11 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	41 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	130 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Alias n. parte:	RQ3G110AT

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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Il MOSFET di potenza RQ3G110AT a canale P -40 V -35 A di ROHM Semiconductor è un dispositivo a bassa resistenza in conduzione alloggiato in un package a stampo piccolo (HSMT8) ad alta potenza. RQ3G110AT presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS. I MOSFET sono inoltre privi di alogeni.