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LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 23.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

576-LSIC1MO120G0040

N. produttore:

LSIC1MO120G0040

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Scheda dati:

LSIC1MO120G0040 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	23,62 €	23,62 €
	17,25 €	172,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	70 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	50 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	175 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	357 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	LSIC1MO120G0xxx
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SIC a canale N LSIC1MO120G0x

I MOSFET SIC a canale N LSIC1MO120G0x di IXYS offrono una tensione nominale drain-source di 1200 V, un intervallo di resistenza da 25 m Ω a 160 m Ω e correnti da 14 A a 70 A. Questi MOSFET sono ottimizzati per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza e presentano una resistenza in conduzione ultrabassa, bassa resistenza del gate e operazioni normalmente OFF a tutte le temperature. I MOSFET SIC a canale N LSIC1MO120G0x di IXYS sono ideali per inverter solari, alimentatori a commutazione, unità motore, caricabatterie e altro ancora.