MOSFET di tipo trench a canale P LFPAK

I MOSFET di tipo trench a canale P LFPAK di Nexperia sono progettati e certificati secondo gli standard AEC-Q101 per l'uso in applicazioni del settore automobilistico ad alte prestazioni. Questi MOSFET presentano un’elevata capacità di dissipazione della potenza termica. I MOSFET a canale P sono disponibili in un package in plastica LFPAK56 (Power SO8) a montaggio superficiale (SMD). Questi MOSFET di Nexperia sono adatti per ambienti difficili dal punto di vista termico grazie al valore nominale di 175°C. Le applicazioni tipiche includono la protezione della batteria inversa, la gestione dell'alimentazione, l'interruttore di carico a monte e l'unità di azionamento motore.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 40V 39A 12.598A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 39 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 60V 30A 3.416A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 30V 80A 2.473A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 40V 64A 267A magazzino
9.00023/06/2026 previsto
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42.7 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 30V 45A 1.475A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 P-CH 60V 25A 1.060A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 60 V, P-channel Trench MOSFET 2.335A magazzino
3.00023/06/2026 previsto
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: 1.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 60V 25A 863A magazzino
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: 1.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel