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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 330A magazzino
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 754A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 1.495 kW - 55 C + 175 C FGY100T120RWD Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 392A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 410A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
45019/06/2026 previsto
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
45019/06/2026 previsto
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube