FET GaN di potenza in package GAN039 CCPAK1212

I FET GaN a pacchetto CCPAK1212-Packaged Power di Nexperia GAN039 offrono una tecnologia di package con clip in rame con basse induttanze, basse perdite di commutazione e alta affidabilità. Privi di collegamenti elettrici per prestazioni termiche ed elettriche ottimizzate, questi dispositivi offrono una configurazione a cascata per eliminare la necessità di driver e controlli complicati. I FET a montaggio superficiale GAN039 sono dotati di raffreddamento superiore (CCPAK1212i) o inferiore tradizionale (CCPAK1212) per migliorare la dissipazione del calore, garantendo maggiore flessibilità di progettazione. Gli stili di package CCPAK1212 e CCPAK1212i presentano un ingombro compatto. I cavi ad ala di gabbiano flessibili forniscono una robusta affidabilità a livello di scheda per ambienti a temperature estreme. Le applicazioni tipiche includono servomotori, inverter PV e UPS, PFC totempole senza ponte e convertitori di commutazione soft.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale
Nexperia GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 599A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 956A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement