U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

Risultati: 12
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ 14.138A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ 1.836A magazzino
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Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PS-8 N-Channel 1 Channel 40 V 5 A 31.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 1.96 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal Mosfet 16.539A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 107 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package 3.109A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 27.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.1 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Channel Mosfet 2.376A magazzino
3.000In ordine
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V 4.258A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V 2.900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz 3.951A magazzino
20.00019/06/2026 previsto
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 1.192A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
2.00007/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Non disponibile a magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 10.3 mOhms 58 W AEC-Q100 U-MOSIV Reel