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DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 0.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-DMT2004UFDF-7

N. produttore:

DMT2004UFDF-7

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Scheda dati:

DMT2004UFDF-7 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,559 €	0,56 €
	0,42 €	4,20 €
	0,288 €	28,80 €
	0,252 €	126,00 €
	0,228 €	228,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,181 €	543,00 €
	0,175 €	1.050,00 €
	0,164 €	1.476,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-2020-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	24 V
Id - corrente di drain continua:	14.1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	550 mV
Qg - Carica del gate:	53.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	12.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	38.6 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9.6 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	30.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	3.9 ns
Peso unità:	6,750 mg

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Scheda dati

DMT2004UFDF-7 Scheda dati (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.