QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT

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Qorvo
Categoria prodotto: Transistor RF JFET
RoHS::  
pHEMT
Reel
Marchio: Qorvo
Tipo di prodotto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2025D
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D

La filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D di Qorvo è sviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo. Il processo presenta tecniche avanzate per ottimizzare la potenza a microonde e l'efficienza in condizioni di funzionamento a polarizzazione di drain elevata. Il QPD2025D opera da CC a 20 GHz con potenza di uscita tipica di 24 dBm a P1dB e un guadagno di 14 dB e 58% di efficienza a potenza aggiunta a una compressione di 1 dB. Questo livello di prestazioni è ideale per applicazioni ad alta efficienza. Lo strato protettivo di rivestimento in nitruro di silicio offre robustezza ambientale e protezione da graffi.