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QPD2025D

Name: Qorvo QPD2025D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2025D
Price: 10.09 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-QPD2025D

N. produttore:

QPD2025D

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

Transistor RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	Transistor RF JFET
RoHS::
Tipo di transistor:	pHEMT
Confezione:	Reel
Marchio:	Qorvo
Tipo di prodotto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2025D
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D

La filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D di Qorvo è sviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo. Il processo presenta tecniche avanzate per ottimizzare la potenza a microonde e l'efficienza in condizioni di funzionamento a polarizzazione di drain elevata. Il QPD2025D opera da CC a 20 GHz con potenza di uscita tipica di 24 dBm a P1dB e un guadagno di 14 dB e 58% di efficienza a potenza aggiunta a una compressione di 1 dB. Questo livello di prestazioni è ideale per applicazioni ad alta efficienza. Lo strato protettivo di rivestimento in nitruro di silicio offre robustezza ambientale e protezione da graffi.