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LMG2656RFBR

Name: Texas Instruments LMG2656RFBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2656RFBR
Price: 10.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

595-LMG2656RFBR

N. produttore:

LMG2656RFBR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

LMG2656RFBR Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	10,54 €	10,54 €
	8,20 €	82,00 €
	7,81 €	195,25 €
	6,79 €	679,00 €
	6,48 €	1.620,00 €
	5,91 €	2.955,00 €
	5,18 €	5.180,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	5,05 €	10.100,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VQFN-19
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	26 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG2656
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Kit di sviluppo:	LMG2656EVM-102
Tensione di ingresso - Max:	26 V
Ritardo di accensione massimo:	150 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	230 mOhms
Spegnimento:	No Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2656 650 V GaN Power-FET a semiponte

Il Power-FET Half Bridge GaN LMG2656 da 650 V di Texas Instruments semplifica la progettazione, riduce il numero di componenti e lo spazio sulla scheda integrando FET di potenza half-bridge, driver di gate, FET bootstrap e traslatore di livello di gate-drive lato alto in un package QFN da 6 mm per 8 mm. Le velocità di variazione dell'accensione programmabile forniscono EMI e la suoneria controllo. L'emulazione del rilevamento della corrente sul lato basso riduce la dissipazione di potenza rispetto al tradizionale resistore di rilevamento corrente e consente di collegare il pad termico sul lato basso alla massa di alimentazione PCB.