P-Channel MOSFETs

Toshiba P-Channel MOSFETs product offering features P-channel power MOSFETs for load switching in ultra-portable mobile computing devices and battery protection circuits for large capacity batteries. Developed using advanced trench-gate processes and packaging technologies, the P-channel MOSFETs are optimized to provide low on-resistance. These low on-resistance power MOSFETs also offer high current ratings, low capacitance, and high permissible power dissipation within a small form factor to meet the lower voltage and lower power requirements of system power supplies in portable electronics applications.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 10.051A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 8.222A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel