MOSFET DTMOS VI ad alta tensione in package TOLL

I MOSFET DTMOSVI ad alta tensione di Toshiba in package TOLL presentano una bassa resistenza in conduzione drain-source (Rdson) e proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. Ciò li rende ideali per applicazioni di alimentazione a commutazione. Questa ultima generazione DTMOSVI offre la cifra di merito più bassa RDS (ON) xQgd ed è alloggiata nel nuovo package TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una connessione sorgente Kelvin per ridurre le perdite di accensione e spegnimento.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1.058A magazzino
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Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2.000A magazzino
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Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3.792A magazzino
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Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1.232A magazzino
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Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6.000In ordine
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel