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GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 24.96 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

148-GP2T030A170H

N. produttore:

GP2T030A170H

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GP2T030A170H Scheda dati (PDF)

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	20,86 €	208,60 €
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2.520	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.7 kV
Id - corrente di drain continua:	83 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	36 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.7 V
Qg - Carica del gate:	233 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	564 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	21 ns
Confezione:	Tube
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	GP2T
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	48 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns

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Attributi selezionati: 0

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Scheda dati

GP2T030A170H Scheda dati (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.