Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

Risultati: 6
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Package/involucro Stile di montaggio Lunghezza d'onda di picco Corrente nera Vr - Tensione inversa Tempo di salita Tempo di caduta Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima
Advanced Photonix Fotodiodi Red Enhanced Ceramic Package Assembly 48A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodi Blue Enhanced Photodiode 1.442A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodi Red Enhanced Photodiode 36A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodi Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
379In ordine
Min: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodi Red Enhanced Photodiode
16021/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodi Red Enhanced Photodiode
10023/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C