Risultati: 5
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 11.640A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg 2.351A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 8.186A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable 3.324A magazzino
3.00004/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
5.967In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement Tube