Transistor bipolari a gate isolato modello BID

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) modello BID di Bourns combinano la tecnologia da un gate MOSFET e un transistor bipolare e sono progettati per applicazioni ad alta tensione/alta corrente. Gli IGBT Modello BID utilizzano la tecnologia Trench-Gate Field-Stop avanzata per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, con una tensione di saturazione collettore-emettitore più bassa e minori perdite di commutazione. Gli IGBT presentano un intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a +150°C e sono disponibili in package TO-252, TO-247 e TO-247N. Questi componenti termicamente efficienti offrono una resistenza termica inferiore, che li rende soluzioni IGBT adatte ad alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).

Risultati: 9
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Scheda dati
24.183A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
Scheda dati
6.978A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 40 A 192 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Scheda dati
2.233A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Scheda dati
1.187A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Scheda dati
5.811A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Scheda dati
1.850A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Scheda dati
2.830A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Scheda dati
2.967A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Scheda dati
2.783A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube