Moduli in silicio IGBT DDB6U134N16RR

I moduli in silicio IGBT DDB6U134N16RR di Infineon Technologies offrono una tensione diretta di 1,35 V a 100 A e una dissipazione di potenza di 500 W. I dispositivi operano a un intervallo di temperature massime da -40 °C a +150 °C. I moduli in silicio IGBT DDB6U134N16RR Infineon sono disponibili in un package di 45 mm x 107,5 mm x 20,5 mm (L x P x A).

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio If - Corrente diretta Configurazione Vf - Tensione diretta Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Infineon Technologies Moduli a diodo LOW POWER ECONO 13A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli a diodo LOW POWER ECONO 20A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Moduli a diodo LOW POWER ECONO Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 15
Mult.: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray