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PSMN025-100HSX

Name: Nexperia PSMN025-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN025-100HSX
Price: 0.55 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

771-PSMN025-100HSX

N. produttore:

PSMN025-100HSX

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT1205 100V 29.5A

Scheda dati:

PSMN025-100HSX Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-56D-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	29.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	24.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	38.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	68 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Marchio:	Nexperia
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	934665466115

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Scheda dati

PSMN025-100HSX Scheda dati (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N PSMN025

Il MOSFET a canale N Nexperia PSMN025 è un MOSFET a canale N a doppio livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8). Nexperia utilizza la tecnologia TrenchMOS. Il dispositivo è caratterizzato da un'elevata corrente di drenaggio di picco IDM e da una clip in rame con conduttori flessibili.