High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
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Package/involucro
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Scheda dati
2.787A magazzino
Min: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Scheda dati
448A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Scheda dati
281A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Scheda dati
224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Scheda dati
307A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Scheda dati
334A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Scheda dati
277A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Scheda dati
127A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Scheda dati
8A magazzino
72011/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Scheda dati
1.27522/07/2026 previsto
Min: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Scheda dati
30001/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 57 settimane
Min: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 57 settimane
Min: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 57 settimane
Min: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 80 settimane
Min: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 25
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 57 settimane
Min: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3