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RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RF4L070BGTCR

N. produttore:

RF4L070BGTCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET DFN2020 N-CH 60V 7A

Scheda dati:

RF4L070BGTCR Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo esteso:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,35 €	350,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,30 €	900,00 €
	0,283 €	1.698,00 €
	0,278 €	2.502,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-2020-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	27 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	7.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	21 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.7 ns
Alias n. parte:	RF4L070BG

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Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N RF4L070BG

Il MOSFET di potenza a canale N RF4L070BG di ROHM Semiconductor è un MOSFET da 60,0 V, 7,0 A con una bassa resistenza in conduzione di 27,0 mΩ, che lo rende ideale per applicazioni di commutazione. RF4L070BG ha un tempo di recupero inverso di 25,0 ns (tipico) e una carica di recupero inversa di 22,0 nC (tipico). La dissipazione di potenza per il dispositivo è di 2,0 W e presenta un ampio intervallo di temperature di funzionamento di giunzione e conservazione da -55 °C a +150 °C.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.