Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
I transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A di Qorvo sono transistori ad alta mobilità elettronica (HEMT) discreti in nitruro di gallio (GaN) su carburo di silicio (SiC) da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz. Una rete di adattamento integrata all'ingresso consente un guadagno e prestazioni di potenza a banda larga, mentre l'uscita può essere adattata a bordo per ottimizzare la potenza e l'efficienza per qualsiasi regione all'interno della banda. I transistori QPD1011A di Qorvo sono alloggiati in un package SMT senza piombo da 6 mm x 5 mm x 0,85 mm che consente di risparmiare spazio sulle radio portatili, già limitate dallo spazio.
