MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N

I MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N di Onsemi con protezione ESD sono MOSFET robusti ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Racchiusi in un compatto package SOT-723 a 3 conduttori, i componenti onsemi NTK3134N forniscono un basso RDS(on) di 0,20Ω a 4,5V, riducendo al minimo le perdite di conduzione e migliorando le prestazioni termiche. Con una tensione drain-source nominale di 20 V e una capacità di corrente drain continua a stato stazionario di 890 mA (massimo), i MOSFET NTK3134N sono ideali per l'uso in dispositivi elettronici portatili, convertitori CC-CC e circuiti di commutazione del carico. Velocità di commutazione rapide e bassa carica del gate contribuiscono a ridurre il consumo energetico e a migliorare l'efficienza complessiva del sistema, rendendo questi MOSFET una scelta affidabile per progetti con vincoli di spazio e sensibili alla potenza.