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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 25.08 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

148-GCMS040B120S1-E1

N. produttore:

GCMS040B120S1-E1

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET 1200V SiC COPACK Power Module

Scheda dati:

GCMS040B120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	25,08 €	25,08 €
	19,05 €	190,50 €
	16,73 €	1.673,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	57 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	52 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	242 W
Confezione:	Tube
Marchio:	SemiQ
Tempo di caduta:	16 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	5 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	COPACK Power Module
Ritardo di spegnimento tipico:	21 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Vf - Tensione diretta:	1.52 V

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Scheda dati

GCMS040B120S1-E1 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low Q_RR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.