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XBP14E5UFN-G

Name: Torex Semiconductor XBP14E5UFN-G
Brand: Torex Semiconductor
SKU: 865-XBP14E5UFN-G
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

865-XBP14E5UFN-G

N. produttore:

XBP14E5UFN-G

Produttore:

Torex Semiconductor

Descrizione:

Diodi di protezione ESD/Diodi TVS Low Capacitance TVS Diode Array

Scheda dati:

XBP14E5UFN-G Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,36 €	36,00 €
	0,353 €	176,50 €
	0,253 €	253,00 €
	0,234 €	585,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,116 €	580,00 €
	0,10 €	1.000,00 €
	0,095 €	2.375,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Torex Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi di protezione ESD/Diodi TVS
RoHS::
Polarità:	Unidirectional
Numero di canali:	4 Channel
Tensione di lavoro:	5 V
Stile di terminazione:	SMD/SMT
Tensione di clamping:	13 V
Tensione di rottura:	6 V
Package/involucro:	DFN-2510-10
Ipp - corrente di impulso di picco:	2.5 A
Cd - Capacità del diodo:	0.8 pF
Vesd - Tensione ESD contatto:	8 kV
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Torex Semiconductor
Prodotto:	TVS Diodes
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Scheda dati

XBP14E5UFN-G Scheda dati (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (V_BR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.