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GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 6.2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

148-GP2T080A120U

N. produttore:

GP2T080A120U

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

MOSFET SiC

Scheda dati:

GP2T080A120U Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	3,58 €	35,80 €
	2,99 €	358,80 €
	2,68 €	1.366,80 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	80 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.8 V
Qg - Carica del gate:	58 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	188 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	GP2T080A120U
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	16 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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GP2T080A120U Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.