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VOW3120-X017T

Name: Vishay VOW3120-X017T
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VOW3120-X017T
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-VOW3120-X017T

N. produttore:

VOW3120-X017T

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

Gate driver isolati otticamente 2.5A IGBT Mosfet

Scheda dati:

VOW3120-X017T Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,65 €	3,65 €
	2,77 €	27,70 €
	2,55 €	63,75 €
	2,30 €	230,00 €
	2,18 €	545,00 €
	2,08 €	1.040,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 750)
	1,91 €	1.432,50 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	Gate driver isolati otticamente
RoHS::
Serie:	VOW
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WSMD-8
Numero di canali:	1 Channel
Vf - Tensione diretta:	1.36 V
Vr - Tensione inversa:	5 V
If - Corrente diretta:	25 mA
Tensione di isolamento:	5300 Vrms
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 100 C
Pd - Dissipazione di potenza:	40 mW
Tempo di salita:	100 ns
Tempo di caduta:	100 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Non-Inverting
Tensione di ingresso - Max:	32 V
Tensione di ingresso - Min.:	15 V
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di alimentazione operativa:	2.5 mA
Corrente di uscita:	2.5 A
Tensione di uscita:	15 V to 32 V
Prodotto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Spegnimento:	No Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	750
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.:	32 V
Tensione di alimentazione - Min.:	15 V
Tecnologia:	Si
Tipo:	IGBT
Peso unità:	1,233 g

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Application Notes

Models

PCN

Product Change Notification 2024-10-07 (PDF)

Technical Resources

Solid-State Relays Frequently Asked Questions (FAQs)

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541490000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
JPHTS:: 854149000
KRHTS:: 8541409029
MXHTS:: 8541400401
BRHTS:: 85414900
ECCN:: EAR99

CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers

Vishay Semiconductors CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers are category IV high voltage isolation optocouplers available in a surface mount package. The high isolation voltage SMD version optocouplers consist of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4 pin plastic package. The single components are mounted opposite one another, providing a distance between input and output for high safety requirements of >3mm. Vishay Semiconductors CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers are ideal for such applications as solar equipment, smart meters, and smart grids.

Driver MOSFET otticamente isolati

I driver MOSFET isolati otticamente Vishay forniscono la tensione necessaria per azionare la porta di un MOSFET a bassa tensione. La tensione del gate viene generata da celle fotovoltaiche e non è necessaria alcuna alimentazione sul lato di uscita. Ciò semplifica la progettazione quando si utilizzano MOSFET a bassa tensione. Il VOM1271T a canale singolo fornisce una tensione di uscita di 8,4 V con una corrente diretta di ingresso di appena 10 mA. Il VO1263AACTR a doppio canale fornisce una tensione di uscita di 14,5 V.

Driver per MOSFET e IGBT da 2,5 A VOW3120 Widebody Vishay

Il driver Vishay VOW3120 è composto da un diodo di emissione di luce infrarossa otticamente accoppiato a un circuito integrato con uno stadio di potenza in uscita. Questo fotoaccoppiatore è ideale per IGBT e MOSFET di potenza di trasmissione utilizzati in applicazioni di invertitori e controllo motore. L'alta gamma di tensione operativa dello stadio in uscita fornisce le tensioni di pilotaggio richieste dai dispositivi controllati da porte. La tensione e la corrente fornite da questo fotoaccoppiatore lo rendono ideale per IGBT di pilotaggio diretto con potenze nominali fino a 1200 V/100 A. Per IGBT con potenze nominali superiori, VOW3120 può essere utilizzato per pilotare uno stadio di potenza discreto che guida la porta IGBT. VOW3120 fornisce un isolamento superiore per le applicazioni che funzionano a tensioni di lavoro più alte e/o criteri del grado di inquinamento più elevati. VIORM maggiore, VIOTM, distanze di passo e di sicurezza, rendono il driver per MOSFET e IGBT da 2,5 A VOW3120 Widebody Vishay ideale per molte applicazioni di conversione di potenza e controllo industriale.
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