FGY100T120RWD

onsemi
863-FGY100T120RWD
FGY100T120RWD

Produttore:

Descrizione:
IGBTs 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.43 V
- 20 V, 20 V
200 A
1.495 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY100T120RWD
Tube
Marchio: onsemi
Corrente continua di collettore Ic max: 200 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 400 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 450
Sottocategoria: IGBTs
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT FGY100T120RWD

Gli IGBT FGY100T120RWD odi nsemi combinano la nuova tecnologia IGBT field stop di 7a generazione in un package a 3 conduttori TO247. I FGY100T120RWD vantano prestazioni ottimali, basse perdite di conduzione e buona controllabilità di commutazione. Gli IGBT FGY100T120RWD di onsemi producono un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni, tra cui controllo del motore, UPS, data center e interruttori ad alta potenza.

Unità di azionamento industriali

Gli azionamenti motori industriali di onsemi sono progettati per la sostenibilità globale, fornendo tecnologie efficienti e rinnovabili e alimentazione intelligente. Secondo l'analisi di mercato dei sistemi motori (MS mA) del 2020, pubblicata dal Dipartimento dell'Energia (DOE) degli Stati Uniti, le pompe e gli azionamenti industriali consumano annualmente quasi il 15% della rete elettrica totale degli Stati Uniti. La MSMA del 2020 stima inoltre che si possono risparmiare annualmente 32,3 milioni di tonnellate metriche di emissioni di CO2 utilizzando i VFD. onsemi produce un'ampia gamma di componenti semiconduttori VFD, tra cui gate driver, MOSFET, IGBT ed EliteSiC.