IGBT FGY4LxxT120SWD a canale N 1.200 V

Gli IGBT a canale N FGY4LxxT120SWD 1.200 V di onsemi utilizzano l’innovativa tecnologia IGBT field stop di 7a generazione e il diodo Gen7 in un package con cavi TO-247 4−. L' FGY4LxxT120SWD di onsemi offre prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione per operazioni ad alta efficienza−in varie applicazioni come inverter solari, UPS ed ESS.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
Scheda dati
180A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Scheda dati
176A magazzino
24010/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
Scheda dati
49A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
Scheda dati
59A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube