MOSFET a canale N PSMN8R0

Il MOSFET a canale N PSMN8R0 di Nexperia  è un doppio MOSFET a canale N di livello logico alloggiato in un package LFPAK56D (dual power-SO8). Il MOSFET utilizza la tecnologia TrenchMOS. Il dispositivo è classificato a valanga ripetitiva e certificato per 175 °°C.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET PSMN8R5-40HS/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
3.252A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
66A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel