MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

I MOSFET di potenza automotive OptiMOS™ 7 da 100 V di Infineon Technologies sono dispositivi a canale N avanzati progettati per la commutazione di potenza ad elevata efficienza nelle moderne architetture dei veicoli. Costruiti sulla tecnologia OptiMOS™ 7 da 100 V questi MOSFET offrono una bassissima resistenza di conduzione, un comportamento di commutazione rapido e un'elevata capacità di valanga, consentendo di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione mantenendo al contempo una forte robustezza e prestazioni termiche. Queste funzionalità supportano progetti ad alta densità di potenza in pacchetti compatti, ideali per ambienti delsettore automobilistico esigenti che richiedono affidabilità, efficienza e funzionamento coerenti.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Scheda dati
3.984A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Scheda dati
2.00002/07/2026 previsto
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel